技术编号：25610402
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及磁传感器技术领域，尤其涉及一种用于磁阻器件的激光编程写入装置及方法。背景技术.磁阻器件包括线性传感器、角度传感器、开关传感器、梯度传感器以及下游的电流传感器、金融磁头、图像传感器、磁电编码器和磁电隔离器等各类磁电阻器件，磁阻器件内集成有磁电阻传感器，磁电阻传感器的类型包括隧道磁阻tmr传感器、巨磁阻gmr传感器和各向异性磁阻amr传感器。.目前，制造磁阻传感器时，首先需要对整片晶圆(wafer)进行磁场退火，再采用反转(flip die)封装方式进行封装。具体的，封装时选...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。