技术编号:25643230
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及场效应晶体管,具体公开了一种具有凹陷沟槽的场效应晶体管。背景技术.场效应晶体管属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿、安全工作区域宽等优点,场效应晶体管可应用于开关器件。.如图所示,传统的场效应晶体管为以下结构:在衬底中设置两个间隔的漏极和源极,栅极设置于漏极和源极之间的上方,栅极与衬底之间设置金属氧化物层以确保绝缘性能,衬底分别与漏极和源极的导电型极性相反,漏极和源极之间的衬底中可形成导电沟道,但这种结构的场效应晶体管阻...
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