技术编号：2568390
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种半导体器件、使用所述半导体器件的电路和显示设备、及所述半导体器件的驱动方法，更具体地，涉及一种集成了具有SOI(绝缘体上硅)结构的MOS(金属氧化物半导体)晶体管(如多晶硅TFT(薄膜晶体管))的半导体器件、使用所述半导体器件的电路和显示设备、及所述半导体器件的驱动方法。 背景技术 形成在绝缘衬底上的多晶硅TFT曾经需要昂贵的石英衬底，以便进行高温处理，并且已经被应用于小型、高附加值的显示板。之后，开发了一种通过如低压(LP)CVD、等...
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