技术编号：2568475
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术作为传统的光检测装置，已知有利用薄膜晶体管的漏电流与照射光量 成比例，由该漏电流(光泄漏电流)对电压检测用电容器进行电荷的充电 或放电，监视该电容器的两端间的电压变化，从而检测照射光量的装置(例 如参照专利文献l)。但是，薄膜晶体管的电气特性因曝光而变化(光劣化)，因此，上述 专利文献l的光检测装置由于光劣化引起的特性变化而导致照射光量的检 测精度降低。针对该问题，公开了改良薄膜晶体管的生成方法，采用提高抗劣化特性的光电变换元件(例如...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。