技术编号:25704687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法。背景技术目前实际应用中的三结GaAs太阳电池,均使用梳状电极(如图1所示),即采用宽度为12μm-15μm的栅线电极平均分布在电池芯片表面。这样设计的结果是电极分布比较平均,收集电流比较方便。但是,由于电极大面积的分布在电池表面,并且为了提高可靠性,金属必须具备一定的面积,这样就导致表面的遮光面积增大。通常芯片面积越大,金属遮光的面积就越多。随着电池制备逐渐由4寸晶圆过渡到6寸晶圆,表面金属栅线的遮光比已经...
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