技术编号：25727859
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及光电探测技术领域，特别涉及一种通过氧空位浓度调控ε相氧化镓光电响应性能的方法，以及相应的ga2o3薄膜和光电探测器。背景技术现代半导体技术虽然只有短短七十年的发展历程，但已经给人类社会带来了翻天覆地的变化，将人类由信息闭塞的时代一下子推进到网络信息和人工智能时代。这种仅通过半导体材料的基础光电物性所达到的技术革新效果，让世界各国对新材料、新技术的探索趋之如骛。特别是近年来，氮化镓材料的成功商业化应用，将第三代宽禁带半导体和超宽半导体材料带入了人们的视野。同...
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