技术编号:25859317
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。优先权声明本申请要求2020年05月06日提交的中国申请号2020103733298的优先权,其全部内容通过引用并入本文。本说明书涉及晶体制备领域,特别涉及一种晶体制备装置及生长方法。背景技术半导体晶体(例如,碳化硅单晶)具有优异的物理化学性能,因此成为制造高频率和大功率器件的重要材料。物理气相传输法(physicalvaportransport,pvt)是一种用于制备半导体晶体的方法。物料在高温条件下分解升华为气相组分,气相组分在轴向温度梯度驱动下传输至低温区的籽晶处,并在籽晶表面沉积生成晶体...
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