技术编号:25859338
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域,特别是涉及一种采用pvt法制备碳化硅单晶的生长装置。背景技术碳化硅是一种优质的宽带隙半导体材料,具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速率等优点,可以满足高温、大功率、低损耗大直径器件的需求。碳化硅单晶无法经过熔融法形成,而基于改进型lely法的升华生长技术——物理气相传输法是获得碳化硅单晶的常用方法。pvt法制备碳化硅单晶的生长原理是:高纯碳化硅粉源在高温下分解形成气态物质(主要为si、sic2、si2c等),这些气态物质在过饱和度的驱动...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。