技术编号：25876361
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种等离子体处理系统及其包含的法拉第屏蔽装置.技术领域.本发明涉及一种等离子体处理系统及其包含的法拉第屏蔽装置，属于等离子体处理工艺设备。背景技术.目前pt、ru、ir、nife、au等非挥发性材料主要通过电感耦合等离子体（icp）进行干法刻蚀，电感耦合等离子通常由置于等离子体处理腔室外部与电介质窗相邻的线圈产生，腔室内的工艺气体被点燃后形成等离子体，在对非挥发性材料的干法刻蚀工艺过程中，由于反应产物的蒸汽压较低，难以被真空泵抽走，导致反应产物沉积在电介质窗和其他等离子体处理腔室内壁上沉积...
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