技术编号:25950492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及单晶硅生产的领域,尤其是涉及一种单晶硅生长控制工艺。背景技术硅是最常见应用最广的半导体材料,通过单晶炉将单质硅熔融并以金刚石晶格排列成晶核,其晶核长成晶面取向相同的晶粒,形成单晶硅。单晶硅作为一种比较活泼的非金属元素晶体,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿,其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。公开号为cn108823636a的中国专利公开了一种单晶硅生长装置,其是在加热用的石墨加热器的内侧配置石墨坩埚,在其内侧配置石英坩埚,并从石英坩埚内装满的原料熔融液...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。