技术编号:25952926
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2020年1月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2020-0005703的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。本公开的示例实施例涉及存储器件。更具体地,本公开的示例实施例涉及半导体存储器件的纠错电路。背景技术半导体存储器件可以被分类为诸如闪存器件的非易失性存储器件和诸如动态随机存取存储器(dram)器件的易失性存储器件。由于dram器件的高速操作和成本效率,它们通常用于系统存储器。由于dram器件的制造设计规则的持续减小,dram器件中的存储单...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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