技术编号:25987488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种铸造单晶或多晶类硅片的磷氢退火预处理方法。背景技术太阳能作为新兴能源,已成为21世纪大力发展的产业。太阳电池的研发与制作,主要围绕着降本增效方向展开,提高太阳电池的转换效率是发展太阳能事业的根本,降低太阳电池的制作成本是壮大太阳能事业的基础,是满足大规模生产的先决条件。硅片是生产硅基太阳电池片所用的载体,一般分为单晶硅片、铸造单晶硅硅片和多晶硅片。采用低成本的硅片材料是降低太阳电池制造成本的有效方式之一。在高效异质结太阳电池制作中,采用铸造单晶太阳能硅片来取...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。