技术编号:25990337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电源驱动控制和集成电路设计领域,特别涉及一种基于高电子迁移率场效应晶体管的电源调制器。背景技术砷化镓(gaas)是新一代宽禁带半导体材料,属ⅲ-v族化合物半导体,于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。基于gaas材料发展起来主要有...
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