技术编号:25998677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造方法、以及半导体装置的制造方法所使用的层叠体。背景技术作为在硅基板上形成有半导体电路的半导体芯片等半导体装置的制造工艺,已知有被称为dbg(dicingbeforegrinding:先切割后磨削)的方法。dbg是如下的方法:将与完工厚度相当的深度的槽形成于晶圆的间隔道(street),对晶圆的背面进行磨削,从而使之前形成的槽从晶圆的背面露出而将晶圆分割为各个半导体芯片。出于增加来自一张晶圆的芯片的获取数量等目的,也提出了被称为sdbg(stealthdicingbefo...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。