技术编号:26003454
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及用于从上面有氧化铈粒子和其它化学机械抛光浆料污染物的微电子装置去除所述粒子和污染物的组合物。背景技术微电子装置晶片用于形成集成电路。微电子装置晶片包括例如硅的衬底,在衬底中区域被图案化用以沉积具有绝缘、导电或半导电的特性的不同材料。为获得恰当的图案化,必须去除用于在衬底上形成层的过量材料。此外,为制造功能性和可靠的电路,在后续加工之前制备平整或平坦的微电子晶片表面很重要。因此,必需去除和/或抛光微电子装置晶片的某些表面。化学机械抛光或平坦化(“cmp”)为一种方法,在所述方法中,从...
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