技术编号：26010228
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求2019年11月6日提交的美国非临时申请第16/676,097号的权益，所述美国非临时申请要求2018年11月30日所申请的美国临时申请第62/774,022号的权益，这些申请的全部内容通过引用并入本文。背景技术实施例涉及模块化的高频等离子体源，并且更具体地涉及利用模块化的高频等离子体源形成薄膜的方法。电子器件朝向增加的速度和密度的的迅速收缩导致了通过化学气相沉积(cvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、原子层沉积(ald)和等离子体增强ald(peald)中的一...
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