技术编号：26010272
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本公开内容的实施例总体涉及制造半导体器件。更特定而言，本公开内容的实施例涉及形成含硅和氧层的方法。相关技术的描述在半导体制造中，可以形成各种特征。这样的特征包括具有高深宽比(aspectratio)的沟槽。对于许多半导体器件制造工艺而言，需要通过在沟槽中沉积含硅和氧层以填充沟槽。可通过可流动化学气相沉积(fcvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、高密度等离子体化学气相沉积(hdp-cvd)、基于臭氧的cvd、热cvd、或其他工艺中的一种工艺沉积所述层。沉积的含硅和氧层包括末端硅...
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