技术编号:26010305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及激光退火方法及薄膜晶体管的制造方法。背景技术薄膜晶体管(tft:thinfilmtransistor)作为用于对液晶显示器(lcd:liquidcrystaldisplay)、有机el显示器(oled:organicelectroluminescencedisplay)等薄型显示器(fpd:flatpaneldisplay)进行有源驱动的开关元件来使用。作为薄膜晶体管(以下,称为tft)的半导体层的材料,使用非晶硅(a-si:amorphoussilicon)、多晶硅(p-si:pol...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。