技术编号：26010352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基片处理方法和基片处理系统。背景技术专利文献1公开了一种使处理气体与晶片上的自然氧化膜反应而形成反应层之后，加热晶片以使反应层升华从而将自然氧化膜去除(蚀刻)的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-165954号公报发明内容发明要解决的问题本发明提供一种能够将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。用于解决问题的技术手段本发明的一个方式的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤...
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