技术编号：26010365
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月21日提交的美国临时专利申请号6278733和2019年9月16日提交的美国临时专利申请号62900757的权益，出于所有目的将其通过引用以其全文结合于此。披露了在半导体制造工艺中在550℃或更高，优选从大于550℃至不超过750℃的温度下使用原子层沉积(ald)工艺沉积含si膜的前体和工艺。背景技术含si膜，如sio2和sin，是半导体器件(包括3d-nand闪存)中必不可少的功能组分，并且以多晶硅层间电介质、阻挡氧化物隧道氧化物层和柱形物嵌入。s...
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