技术编号:26041426
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及碳化硅半导体场效应晶体管技术领域,尤其涉及一种低能耗碳化硅半导体场效应晶体管。背景技术碳化硅半导体场效应晶体管属于场效应管中的绝缘栅型,有时候又称为绝缘栅场效应管。g:gate栅极;s:source源极;d:drain漏极。mos管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。现有技术中,技术人员不断改进碳化硅半导体场效应晶体管的结...
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