技术编号:26054656
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种cis传感器的形成方法。背景技术随着cis(cmosimagesensor)传感器芯片向前照式(fsi)向背照式(bsi)和堆栈式(stacked)技术转移,使得cis的市场应用场景越来越广。cis传感器芯片趋势是更高的像素和更小的像素,像素的尺寸已经由1.75um的fsi缩小至1.12um的bsi,甚至是0.8um的bsi的尺寸。随着像素(pixel)尺寸逐渐变小,像素(pixel)之间隔离的区域也同步缩小,从0.5um逐渐缩小到0.2um左右。这时像素...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。