技术编号:26054736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及algan/ganhemt器件技术领域,具体涉及一种p型槽栅结合极化层结构的ganhemt器件。背景技术随着手机无线充电,电动汽车等新兴电子产业的发展,目前电源转换模块需要实现高速高效的工作模式,且更加小型化是目前的主流发展趋势。这就需要作为电源转换模块核心的半导体功率开关器件在高速开关的状态下功耗很低,且整个模块简单,能够实现小型化的设计要求。目前主流的半导体功率器件是基于si材料的半导体器件,这种材料已经无法满足更大功率器件的要求。而作为第三代宽禁带半导体的gan(氮化镓)材料,本...
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