技术编号:26054772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体探测技术领域,具体涉及一种深紫外探测器及其制备方法。背景技术深紫外光电探测器由于不受太阳光的干扰,能在阳光环境条件下对深紫外光信号进行探测,因而在军事、国防和科研领域具有非常重要的应用。目前商用的深紫外探测器主要有硅探测器、光电倍增管和半导体探测器。硅基深紫外光电管需要滤光片,光电倍增管需要在高压下工作,而且体积大、效率低、易损坏。半导体材料相对于传统的深紫外探测器具有携带方便、造价低廉、响应度高等优点而受到了广泛的关注。ⅲ族氮化物(主要包括氮化镓、氮化铝、氮化铟及其合金)具有直...
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