技术编号:26055034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造领域,是一种基于中心供液式的化学机械磨抛方法,特别是涉及一种半导体材料减薄、抛光以获得纳米级超光滑表面的系列化的加工方法。背景技术半导体材料依靠其优异的材料性能成为了高端芯片中不可或缺的一部分。其平坦度、粗糙度、金属以及颗粒等方面对半导体器件有着显著影响。随着芯片技术在生活、工业、医疗、国防科技等领域的飞速发展,半导体材料的高效、高精度制造工艺就成为了亟待突破的核心技术难题。目前,半导体晶片的主流制造工艺仍以化学机械抛光为主。作为一种典型的基板全局抛光方法,化学机械抛光通常将...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。