技术编号：26080329
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体零部件和等离子体处理装置。背景技术等离子体蚀刻工艺在集成电路领域发挥了关键作用。对处于等离子体刻蚀腔室内恶劣腐蚀环境下的部件来说，需要具有相当高的耐等离子体腐蚀性。为此，有专利提出用氧化铝或氧化钇耐腐蚀涂层对等离子体刻蚀腔室内部部件表面涂覆以保护工件，产生了良好的耐等离子体腐蚀的效果。然而，氧化铝耐腐蚀涂层易与等离子体环境中的氟离子反应形成易挥发的铝氟副产物，所述铝氟副产物若发生跌落将对基片造成污染。而氧化钇耐腐蚀涂层的制备成本较高，且其热膨胀系数较大...
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