技术编号:26080702
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及氧化镓晶体生长设备技术领域,具体涉及一种单晶籽晶夹持结构。背景技术氧化镓材料是新一代的超宽禁带半导体材料,与近年来已实现大规模产业化的宽禁带半导体材料碳化硅、氮化镓相比,具有更大的带隙、更高的击穿场强、更低的能耗等特点,在高压高功率半导体器件领域有重大的应用价值。此外,氧化镓单晶是为数不多可以采用熔体法生长的半导体材料,有望低成本大规模量产。目前,最常用生长体块氧化镓单晶的熔体法是提拉法和导模法,其原理都是先将氧化镓原料加热熔化形成熔体,再利用单晶籽晶接触熔体表面向上提拉,使熔体沿...
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