技术编号:26091253
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种抗单粒子加固的sram单元及sram器件。背景技术随着半导体技术的发展,半导体存储器也得到了飞快的发展,其由于具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点,以逐渐替代了过去的磁性存储器。静态随机存储器(sram)是半导体存储器中一种,其具有静止存取功能,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。作为航天应用中的关键器件,同步静态随机存储器受到了广泛的关注。传统sram的存储基本单元为6t-sram单元,其结构如图1所示。该结构通过两个反相器的互锁使数据得到保持。由...
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