技术编号：26100472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光(cmp)组合物和化学机械抛光(cmp)方法。本发明特别涉及一种化学机械抛光含有铜和钌的基材，具体为含有铜和钌的半导体基材的组合物和方法。背景在半导体工业中，化学机械抛光(cmp)是一种用于制造高级光子、微电子机械和微电子材料和器件，如半导体晶片的众所周知技术。在制造半导体工业中所用材料和器件的过程中，使用cmp来使表面平坦化。cmp利用化学和机械作用的相互影响来实现待抛光表面的平整度。由也称为cmp组合物或cmp浆料的化学组合物提供化学作用。机械作用通常通过通常压于待...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。