技术编号：26101642
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2019年12月27日提交的美国申请16/729,080的优先权，该美国申请要求于2019年8月26日提交的美国临时专利申请序列号62/891,578的优先权和权益，该两个申请据此全文以引用方式并入。背景技术本公开的实施方案整体涉及具有部分钉扎自由层的磁性隧道结(mtj)的大场范围tmr传感器。相关领域的描述霍尔效应磁性传感器是廉价的，具有大的操作场范围，具有良好的线性度，但具有低灵敏度。另一方面，磁阻(mr)传感器具有大得多的灵敏度(＞100x)，但通常被设计用于...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。