技术编号：26102535
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微纳结构与半导体器件领域，特别是涉及一种基于冲量差颗粒脱附的微纳结构与器件直写方法。背景技术电子束在微纳结构与器件构筑等方面展现了强大的功能，形成了电子束诱导原位合成(ebis)、电子束刻蚀(ebl)、电子束诱导沉积(ebid)及电子束碳化直写等微纳加工技术。ebis技术基于电子束的物理、化学效应，如样品原子的碰撞位移及溅射、荷电效应及晶化、knotek-feibelman(k-f)机制相关的脱附和氧化还原反应等制备微纳结构，特点是控制电子束辐照在材料源样品上实现局部结构的修饰与结构构...
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