技术编号:26127622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体直拉单晶生产领域,尤其是涉及一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构。背景技术在现有的技术中,一套完整的直拉热场包括坩埚,加热器,内、外导流筒,上、下保温盖,上、中、下保温筒,炉底盘,炉底护盘,坩埚轴,电极,电极螺栓,排气口护套,密封环,测温孔护套。通过热场形成高温环境,其中硅的熔点1420℃左右;主炉室内安装石墨加热器和保温系统,低压大电流流过加热器产生高温,热量通过辐射加热石墨坩埚,由石墨坩埚加热石英坩埚和多晶硅料,达到熔化和结晶所需的温度。同时存在着热场腐蚀的技术问题,热场腐...
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