技术编号:26127626
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于单晶制备装置技术领域,具体涉及一种用于制备高质量、大尺寸碳化硅单晶的装置。背景技术在利用pvt法制备碳化硅单晶时,碳化硅籽晶被固定在坩埚盖的内侧顶部不动,坩埚内装有碳化硅长晶原料,长晶原料升华后分解的气相在籽晶处凝结成晶体。然而,随着晶体的生长,原料气相传输距离逐渐缩短,晶体生长界面与原料界面间的温差逐渐减小,生长界面置于高温区域,使得生长界面的温度有所升高,此时气相区在z轴方向上的温度梯度,即轴向温梯逐渐减小,而轴向温梯的减小,一方面会导致气氛传输变慢,晶锭在厚度上难以长厚;另一方面...
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