技术编号:26128394
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路存储器基本电路设计领域,具体涉及一种基于忆阻元件和蕴含逻辑的非易失性存储器。背景技术参见图1所示,传统的1t1m存储单元,当写入电压不足时,忆阻器会写入失效,存储错误无法纠正,读出时需要借助纠错算法解决,而且纠错位数有限;此外,由于忆阻器的不均匀性,读出电路的参考电阻值不太好确定,这给读出电路的设计带来了诸多不便。为解决上述问题,参见图2所示,给出了在经典1t1m存储单元结构的基础上进行改进的1t2m存储单元,新加入了一个忆阻器作为存储单元,当电路正常存储数据时,两个忆阻器...
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