技术编号：26138449
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。相关申请案的交叉引用本申请案主张2020年1月31日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请案第10-2020-0011629号的优先权和权益，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。本公开涉及一种抗蚀剂底层组合物和一种使用所述组合物形成图案的方法。背景技术最近，半导体行业已研发出具有几纳米大小到几十纳米大小的图案的超精细技术。这种超精细技术本质上需要有效的光刻技术。在光刻胶图案的形成期间进行曝光是获得具有高分辨率的光刻胶图像的重要因素中的一个因素。通过使用激活辐射进行光刻胶的曝光，激活的辐射通常...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。