技术编号：26141575
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及二维材料技术领域，尤其是涉及掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和应用。背景技术二维过渡金属硫族化合物作为一类新型半导体材料，具有独特的物理性能，在电学、光学以及磁学等领域有着广泛的应用前景。其原子级厚度的特性及无悬挂键的表面使其在晶体管应用中能克服短沟道效应，符合堆叠封装的技术发展趋势，进而使得该类材料成为延续摩尔定律的潜在选择。然而，如何高效地改进和调控该类材料的性能以进一步推进其在上述领域中的应用，依然是一个亟待解决的问题。相比于化学功能化，过渡金属元素取代掺杂的方法通过将异...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。