技术编号:26141780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及压电晶体和晶体生长领域,具体是一种6-8英寸、电阻率可调的掺铁铌酸锂晶体的制备方法。背景技术铌酸锂晶体是制作声表面波器件的重要基片材料之一,但是铌酸锂晶体具有较高的光透过率,光透过衬底后在衬底背面产生较强的反射,容易影响光刻图案分辨率,降低光刻精度。另外铌酸锂晶体具有较高的热释电效应,如果晶片的电阻率太高,其表面因受热产生的电荷不能被迅速中和,当电荷积累到一定程度会在叉指电极间、晶片间、晶片与工装间自发释放,使得晶片开裂、微畴反转,最终烧毁叉指电极,此现象在制作高频器件时效果更加明显。...
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