技术编号:26142049
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法,属于光触媒技术领域。背景技术纳米二氧化钛是重要的光触媒,二氧化钛具有优异的光催化氧化能力,在光催化领域具有非常广泛的应用。但是在采用涂胶工艺时,纳米二氧化钛被胶黏剂包裹其内,无法吸附和降解废气中的有机物,严重影响光触媒的催化效果。虽然采用高温等离子体溅射工艺涂敷可提高结合力,但是大部分的纳米二氧化钛结构在喷涂中得到破坏,形成的团束集中,影响了催化活性。发明内容本发明针对上述问题,提供了一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。