技术编号:26270884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种集成电路(integratedcircuit,ic)封装结构及其制造方法,特别是关于一种具有封装级静电放电(esd)防护的封装结构及其制造方法。背景技术深次微米cmos尺寸持续缩小与高速度技术的发展使得静电放电防护设计产生更大的挑战。在面临的诸多问题中,由于需要顾及传输速度,使得输入/输出接脚(i/opins)的静电放电电路设计更形复杂。以两千伏特人体放电模式(human-body-model,hbm)静电应力而言,其最大电流约1.3安培,而峰值五百伏特的元件充电模式(charge...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。