技术编号：26290036
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳纳米管cmos集成电路工艺，特别涉及一种用于soc的无掺杂半导体器件及其制作方法。背景技术随着集成电路技术节点向下2代到达16nm时，将会达到硅材料以及物理量子力学的极限。电子学的继续发展，迫切需要寻找新优势材料来代替硅材料，突破摩尔定律的极限。碳纳米管(cnts)具有超高的载流子迁移率和平均自由程、纳米尺度的管径，可以用来构建速度更快、功耗更低、尺寸更小的纳米场效应晶体管，因此碳纳米管(cnts)电子学被认为是最有可能取代硅基cmos器件、延续摩尔定律的未来信息技术之一。根据相关研...
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