技术编号：26310976
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术，尤其涉及碳化硅结型场效应管。背景技术碳化硅半导体的优异性能使得基于碳化硅的电力电子器件与硅基器件相比具有突出的优点。碳化硅器件具有更低的导通电阻、更高的击穿电压、更好的热导性以及耐高温性能。同时，碳化硅制成的电力电子器件正向和反向特性随温度的变化很小，具有更高的稳定性。由于开关损耗小、开关频率高，碳化硅有望替代硅成为功率器件的主流材料。其中，碳化硅(sic)jfet是碳化硅结型场效应管，具有导通电阻低、开关速度快、耐高温及热稳定性高等优点。当前，碳化硅jfet大多为常开...
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