技术编号：26311015
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及紫外探测器技术领域，尤其涉及一种gan基紫外探测器。背景技术作为第三代半导体之一，gan因为其独特的光电子特性(3.4ev禁带宽度)，被公认为紫外探测器的核心材料，非常适用于高度集成紫外光电子器件。但是对于传统的gan紫外探测器来说，其通常是在平面衬底之上制备而成，而平面结构的探测器具有很高的表面反射效率，会导致探测器的光子吸收效率、光探测率以及响应率等性能会受到影响。近些年来，表面修正技术被越来越多的使用于有效地减少表面反射和增强光子的吸收效率方面，尤其是对gan、algan等外...
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