技术编号：26586719
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明的实施例涉及测试三维存储器单元阵列的方法和存储器电路。背景技术.半导体集成电路(ic)工业已经生成了各种各样的数字器件，以解决许多不同领域中的问题。这些数字器件中的一些(例如存储器宏)配置为用于数据存储。随着ic变得越来越小和越来越复杂，这些数字器件中的导线的电阻也发生了变化，从而影响了这些数字器件的工作电压和整体ic性能。发明内容.根据本发明的实施例，提供了一种测试三维(d)存储器单元阵列的方法，包括：将数据写入d存储器单元阵列中的存储器单元的每个层；在至少一个d存储器单元...
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