技术编号：26589780
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种具有多级存储功能的突触忆阻器及其制备方法，属于微电子技术领域。背景技术.作为最具有潜力的非易失性存储器之一的忆阻器(rram)，因其优异的性能已经收到越来越广泛的关注于研究。由于其低压、高速、低功耗、多阻变的特点，忆阻器被认为是最具有潜力的可应用于人工智能神经网络的器件之一，其可变化的多重阻态可以被用来模拟人脑中神经突触的功能，并开发出具有类人脑突触的具有多级存储功能的电子器件。但是目前忆阻器的多级阻态仅仅体现在较高阻态范围，且阻值变化范围很小，需要的工作电压相对较高。发明内...
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