技术编号：26589898
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体领域，具体地，涉及竖直地叠置有不同宽度的器件的半导体装置及其制造方法以及包括这种半导体装置的电子设备。背景技术.在水平型器件如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)中，源极、栅极和漏极沿大致平行于衬底表面的方向布置。由于这种布置，水平型器件不易进一步缩小。与此不同，在竖直型器件中，源极、栅极和漏极沿大致垂直于衬底表面的方向布置。因此，相对于水平型器件，竖直型器件更容易缩小。对于竖直型器件，可以通过彼此叠置来增加集成密度。发明内容.有鉴于此，本公开的目的至少部分地在于...
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