技术编号:26589932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种选择性发射极太阳能电池的制备方法与选择性发射极太阳能电池。背景技术.太阳能电池正面接收太阳光入射,在正面的表层处产生大量的电子空穴对,是太阳能电池光电转换最有效的区域。想要得到高效的太阳能电池结构,电池表层就需有较少的掺杂,减少由此带来的复合中心。而传统的扩散工艺,掺杂源由硅片表面往硅片内部推进,在硅片表面形成高浓度的带电的离子复合中心。.太阳能电池的选择性发射技术,不同于传统扩散方法,其在与ag电极接触的区域具有较高的掺杂浓度,形成良好的欧姆接...
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