技术编号：2664273
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及材料的图案形成，尤其涉及用于材料构图的改进的 硬掩模结构。背景技术器件例如磁性存储器件可以使用标准图案形成技术形成。磁性 存储器件使用磁性存储单元存储信息。信息存储在这种磁性存储器 件中，作为与存储单元中参考层的磁化方向相比较磁性存储单元中存储层的磁化方向。存储层的磁化可能与参考层平行或反平行定向，表示逻辑"0，，或"1"。一种类型的存储单元，磁性隧道结(MTJ)，包括由隧道势垒分隔的存储层和参考层。磁性存储单元的图案形成可以例如以与互补金属氧化...
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