技术编号：26670388
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及通过将硅纳米粒子以及碳化硅纳米粒子诱导沉积成任意二维图案化的、具有高纵横比的微纳米线以及多纳米孔微纳米结构，从而获得具有高响应度的光电器件。背景技术.随着电子器件的迅速发展，半导体材料在光电探测器、太阳能电池等领域有着很重要的应用。黑硅这种材料在宽光谱范围内都有很高的吸收，并且有很好的稳定性等优点，使得基于黑硅的光电器件都有很优异的性能。然而前制备黑硅的方法都一定的局限性，主要是缺乏灵活的加工手段和简单的制备流程。碳化硅材料具有出色的抗化学试剂稳定性、...
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