技术编号:26680176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构及制备方法技术领域.本发明属于二极管技术领域,具体涉及一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构及制备方法。背景技术.横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)是在高压功率集成电路中经常采用的高耐压器件,而常规ldmos器件通过场氧化层下的漂移区设计提高器件的耐压。.现有技术中的dmos器件抗总剂量辐照能力较差,如图‑所示,其具短多晶硅栅极和较厚的厚场氧化层,总剂量辐照会导致器件表面覆盖的二氧化硅层绝缘层中诱生正电荷并积累,而辐照诱生氧化层电荷数量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。