技术编号：26685634
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及微机电系统(micro electro mechanical systems,mems)器件技术领域，具体涉及一种惯性传感器及其制备方法。背景技术.常规的mems惯性传感器有种加工方案，一种是外延多晶硅，一种是soi技术制备可动结构。外延多晶硅，是需要先沉积牺牲层，再沉积多晶硅种子层后进行外延，牺牲层通过vhf释放掉。这种工艺对于外延多晶硅的应力控制要求比较高，如果应力控制的不好，批量生产的惯性传感器的性能一致性差。soi技术是通过硅/氧化硅键合的方式完成的，对于键合质量的要求...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。